我国功率半导体领域的领路人、九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，12月4日17时10分在四川成都逝世，享年89岁。

 陈星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江，1947年至1952年就读于同济大学电机系，先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。1999年当选为中国科学院院士，2001年加入九三学社，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士（IEEE Life Fellow）。

 陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为"高压功率器件新的里程碑"。该发明专利成功转让并实现产业化，目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。陈星弼主持完成国家自然科学基金重点项目、军事研究项目、国家“八五”科技攻关项目多项。获国家技术发明奖及国家科技进步奖2项，省部级奖励13项。2015年获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

 陈星弼曾任电子工业部第十三所专用集成电路国家级重点实验室学术委员会主任委员、四川省科学技术顾问团顾问等，先后在美国俄亥俄大学、加州大学伯克利分校、加拿大多伦多大学作访问学者。

 陈星弼院士的逝世，是九三学社的重大损失，更是我国科学界的重大损失。沉痛悼念，深切缅怀陈星弼院士，他的杰出成就永远是我们倍加珍惜的宝贵财富，他的崇高品质永远值得我们学习和怀念！愿陈星弼院士一路走好！