九三学社电子科技大学支社社员、中国半导体功率器件领路人、中国科学院院士陈星弼教授因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”（ISPSD 2015 Pioneer Award），成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。

5月10日至14日，功率半导体领域最顶级的学术年会——第二十七届国际功率半导体器件与集成电路年会（IEEE ISPSD 2015）在中国香港举行。大会主席Prof. Johnny K.O. Sin为陈星弼院士颁奖。大会在颁奖词中回顾了陈星弼院士的学术经历，尤其是对他在1993年发明突破了传统硅极限的“CB-layer”，即后来广为熟知应用的“Super-junction”的重大学术贡献给予高度评价。

ISPSD是国际电气与电子工程师协会（IEEE）主办的不带地区色彩的高水平学术会议，是功率器件领域的顶级国际学术会议。该会每年举办一届，自1992年的第三届开始，轮流在日本（2007年为韩国）、美国（1999年为加拿大）和欧洲举办。自2015年起，中国成为该会的常任举办国之一。“Pioneer Award”是ISPSD大会授予在本领域有突出贡献和显著声望的科学家的最高荣誉，至今获奖者仅有C. Frank Wheatley (IGBT器件的发明人之一，2011年授奖）和Harry Vaes（Resurf理论的发明人，2012年授奖）。     

陈星弻院士，男，1931年1月出生于上海，1952年毕业于同济大学，后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年开始在成都电讯工程学院工作。1980年美国俄亥俄州大学作访问学者。1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后被聘为加拿大多伦多大学电器工程系客座教授，英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授。1999年当选中国科学院院士。2001年加入九三学社。电子科技大学微电子与固体电子学院教授、博士生导师；四川省学术与技术带头人；中国科学院院士；我国著名半导体与微电子学专家。陈星弼教授在新型功率（电力电子）器件及其集成电路这一极其重要领域中，做出了重要的贡献与成就。